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杨蓉

发布于:2022-04-13 星期三 14:34:46  点击数:7124


籍贯湖南常德,中共党员,博士,教授,博士生导师

基本信息

Email:yangrong@hnu.edu.cn

崇尚积极开放的学术氛围,可为学生提供多元化的发展平台。计划每年招收2-3名硕士/博士生,常年招聘博士后。


教育背景

2011年毕业于中国科学院物理研究所,获理学博士学位

2006年毕业于中南大学物理与电子学院,获理学学士

工作履历

2022年3月至今,湖南大学物理与微电子科学学院,电子科学与技术系

2011年7月至2022年3月,中国科学院物理研究所,纳米物理与器件实验室

研究领域

低维半导体材料与器件

超越摩尔的微纳器件技术

柔性电子器件与集成电路,可穿戴器件

科研项目

1.  国家自然科学基金 优秀青年科学基金,62122084,2022.01-2024.12,主持

2.  国家自然科学基金 面上项目,12074412,2021.01-2024.12,主持

3.  广东省重点领域研发计划,202020080810200002,2020.8-2023.8,主持子课题

4.  国家自然科学基金 重点项目,11834017,2019.01-2023.12,参与

5.  国家自然科学基金 面上项目,11574361,2016.01-2019.12,主持

6.  国家自然科学基金 青年项目,11204358,2013.01-2015.12,主持

7.  科技部重点基础研究发展计划 973A类项目,2013CBA01602,2013.07-2018.08,参与

8.  科技部重大科学研究计划 青年项目,2013CB934500,2013.01-2017.08,参与

学术成果

十篇代表性成果:

1.  Z. Wei †, J. Tang†, X. Li, Z. Chi, Y. Wang, Q. Wang, B. Han, B. Huang, J. Li, H. Yu, N. Li, H. Chen, J. Sun, L. Chen, K. Wu, P. Gao, C. He, W. Yang, D. Shi, R. Yang* and G. Zhang*, Wafer-scale Growth of Oxygen-substitution-doped Monolayer MoS2, Small Methods, 5, 2100091 (2021 Cover).

2.  J. Tang†, Z. Wei†, B. Han†, X. Li, Q. Wang, Z. Chi, X. Li, B. Huang, M. Liao, Y. Zhao, J. Liu, C. Shen, Y. Guo, J. Sun, P. Gao, H. Chen, W. Yang, R. Yang*, D. Shi and G. Zhang*. In-situ Oxygen Doping of Monolayer MoS2 for Band-gap Engineering, Small, 2004276 (2020 Cover).

3.  N. Li†, Q. Wang†, C. Shen, Z. Wei, H. Yu, J. Zhao, X. Lu, G. Wang, C. He, L. Xie, J. Zhu, L. Du, R. Yang*, D. Shi and G. Zhang*, Large-scale MoS2 FETs for Flexible and Transparent Electronics, Nature Electronics, 3, 711 (2020).

4.  Y. Huang†, Y. Pan†, R. Yang, L. Bao, L. Meng, H. Luo, Y. Cai, G. Liu, W. Zhao, Z. Zhou, L. Wu, Z. Zhu, M. Huang, L. Liu, L. Liu, P. Cheng, K. Wu, S. Tian, C. Gu, Y. Shi, Y. Guo, Z. Cheng, J. Hu, L. Zhao, E. Sutter, P. Sutter*, Y. Wang, W. Ji*, X.-J. Zhou*, and H.-J. Gao*. Universal mechanical exfoliation of large-area 2D crystals, Nature Communications, 11, 2453, 2020.

5.  M. Liao†, Z. Wei†, L. Du†, Q. Wang, J. Tang, H. Yu, F. Wu, J. Zhao, X. Xu, B. Han, K. Liu, P. Gao, T. Polcar, Z. Sun, D. Shi, R. Yang* and G. Zhang*, Precise control the interlayer twist angle of large-scale MoS2 homostructures. Nature Communications, 11, 2153, 2020.

6.  J. Zhu†, Z.-C. Wang†, H. Dai†, Q. Wang, R. Yang*, H. Yu, M. Liao, J. Zhang, Wei Chen, Z. Wei, N. Li, L. Du, D. Shi, W. Wang, L. Zhang*, Y. Jiang* & G. Zhang*, Boundary activated hydrogen evolution reaction on monolayer MoS2. Nature Communications 10, 1348 (2019).

7.  N. Li, Z. Wei, J. Zhao, Q. Wang, C. Shen, S. Wang, J. Tang, R. Yang*, D. Shi G. Zhang*, Atomic Layer Deposition of Al2O3 Directly on 2D Materials for High‐Performance Electronics. Advanced Materials Interfaces 201802055 (2019, Back cover).

8.  R. Yang; S. Wu; D.M. Wang; G.B. Xie; M. Cheng; G.L. Wang; W. Yang; P. Chen; D.X. Shi & G.Y. Zhang*. Fabrication of high-quality all-graphene devices with low contact resistances. Nano Research 7, 1449 (2014).

9.  R. Yang; Z. W. Shi; L. C. Zhang; D. X. Shi and G. Y. Zhang*, Observation of Raman G-Peak Split for Graphene Nanoribbons with Hydrogen-Terminated Zigzag Edges. Nano Letters 2011, 11 (10), 4083-4088.

10. R. Yang; L. C. Zhang; Y. Wang; Z. W. Shi; D. X. Shi; H. J. Gao; E. G. Wang and G. Y. Zhang*, An Anisotropic Etching Effect in the Graphene Basal Plane. Advanced Materials 2010, 22 (36), 4014-4019.

奖励与荣誉

2010年中科院宝洁奖

2013年中科院杰出科技成就奖

2018年入选中科院青促会会员