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李晟曼

发布于:2020-07-16 星期四 19:26:57  点击数:57696

副教授,博士生导师

欢迎具有微电子、物理、材料背景的本科生、硕士、博士、博士后加盟!

联系方式:smli@hnu.edu.cn

基本信息

李晟曼(1994-),女,工学博士,湖南大学材料科学与工程学院副教授。2015年毕业于华中科技大学光学与电子信息学院获工学学士学位,同年直博,继续就读于华中科技大学光学与电子信息学院,师从吴燕庆教授,读博期间在国家脉冲强磁场科学中心工作和学习,2020年6月毕业被授予工学博士学位。2020年7月入职湖南大学材料科学与工程学院。


教育背景

2015-2020,华中科技大学,微电子学与固体电子学,工学博士 (导师:吴燕庆)

2011-2015,华中科技大学,电子科学与技术,工学学士


工作履历

2020-至今,湖南大学材料科学与工程学院,副教授

研究领域

专注纳米材料生长、微纳电子器件的加工制备、新原理器件制备与测试以及电路设计与集成。在Nature Materials、Nature Nanotechnology、Advanced Electronic Materials等期刊发表SCI论文10余篇。相关工作连续两年被2019和2020届国际微电子器件大会(IEDM)接收,并作口头报告,获得业内知名企业公司的关注。

学术成果

1.    Li S. M., Gu C. R., Li X. F., Huang R., Wu Y. Q. 10-nm Channel Length Indium-Tin-Oxide transistors with Ion = 1860 μA/μm, Gm = 1050 μS/μm at Vds = 1 V with BEOL Compatibility. IEDM, 2020.

2.    Li S. M., Tian M. C., Gao Q. G., Wang M. F., Hu Q. L., Li X. F., Wu Y. Q. Nanometer thin indium tin oxide for advanced high performance electronics. Nature Materials, 2019, 18(10), 1091-1097.

3.       Li S. M., Tian M. C., Gu C. R., Wang R. S., Wang M. F., Xiong X., Li X. F., Huang R., Wu Y. Q. BEOL Compatible 15-nm channel length ultrathin indium-tin-oxide transistors with Ion = 970 μA/μm and on/off ratio near 1011 at Vds = 0.5 V. IEDM, 2019.

4.    Huang M. Q., Li S. M., Zhang Z. F., Xiong X., Li X. F., Wu Y. Q. Multifunctional high-performance van der Waals heterostructures. Nature Nanotechnology, 2017, 12(12), 1148.

5.    Wang M. F., Tian M. C., Zhang Z. F., Li S. M., Wang R. S., Gu C. R., Shan X. Y., Xiong X., Huang R., Hu Q. L., Li X. F., Wu Y. Q. High performance gigahertz flexible radio frequency transistors with extreme bending conditions. IEDM, 2019.

6.     Li T. Y., Tian M. C., Li S. M., Huang M. Q., Xiong X., Hu Q. L., Li S. C., Li X. F., Wu Y. Q. Black phosphorus radio frequency electronics at cryogenic temperatures. Advanced Electronic Materials, 2018, 4, 1800138.

7.     Li X. F., Wu J. Y, Ye Y. S., Li S. M., Li T. Y., Xiong X., Xu X. L., Gao T. T., Xie X. L., Wu Y. Q. Performance and reliability improvement under high current densities in black phosphorus transistors by interface engineering. ACS Applied Materials Interfaces, 2019, 11 (1), 1587–1594.

8.     Li T. Y., Zhang Z. F., Li X. F., Huang M. Q., Li S. C., Li S. M., Wu Y. Q. High field transport of high performance black phosphorus transistors. Applied Physics Letters, 2017, 110, 163507.

9.     Wang M. F., Li X. F., Xiong X., Song J., Gu C. R., Zhang D., Hu Q. L., Li S. M., Wu Y. Q. High-performance flexible ZnO thin-film transistors by atomic layer deposition. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40, 3, 419-422.

10.    Hu Q. H., Hu, B., Gu C. R., Li T. Y., Li S. C., Li S. M., Li X. F., Wu Y.Q. Improved current collapse in recessed AlGaN/GaN MOS-HEMTs by interface and structure engineering. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(11): 4591-4596.